技術創新
以科技洞悉未來，唯創新賦能發展
三安擁有國家級(ji)(ji)企業技術中(zhong)心、博士后科研工(gong)(gong)作站、省市級(ji)(ji)重點工(gong)(gong)作室(shi)、院士工(gong)(gong)作站等國家級(ji)(ji)一(yi)流研發(fa)平臺(tai)和CNAS/NVLAP國際標準檢測平臺(tai)。
公司擁有的外籍專家、博士，高(gao)工、碩士，光電子專業本科等研發人才眾(zhong)多(duo)。未來(lai)，持續(xu)加大研發力度，不斷(duan)科技(ji)創(chuang)新(xin)，追求卓(zhuo)越發展。
研發人員
平均年投入研發費用
平均年研發投入比例
研發中心
全(quan)產品(pin)覆(fu)蓋布局，中、美、日、歐洲等全(quan)球多個國家和(he)地區布局，為公司構(gou)筑堅(jian)實的知識(shi)產權壁壘。
國際專利
發明專利占比
產品專利總量
技術成果
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照明自主可控(kong)的高可靠、高光效(xiao)白光LED，@25mA條件下，發光效(xiao)率(lv)超過290lm/W 。
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顯示開發出邊長(chang)小于等于5μm的Micro LED產品。
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背光大于(yu)等于(yu)160度大角度，高可靠Mini 背光產品。
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車用4A高電流(liu)密度(du)下, 車規級應用3000小(xiao)時;1A驅動電流(liu)，工作(zuo)電壓下降至(zhi)3.02V,國際領先水準。
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植物照明660nm紅光 WPE 達到65%以上 (@350mA 裸(luo)晶） 達到國際水準(zhun)。
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紫外波段涵蓋260nm~415nm,大功率最高可達150mW（@350mA）。
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激光技術攻關超8瓦大功(gong)率 InGaN藍光(guang)激光(guang)器，達 到(dao)國(guo)際水(shui)準(zhun)。
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先進砷化鎵微波射頻代工平臺提(ti)供先(xian)(xian)進(jin)微波射(she)頻(pin)制(zhi)程技(ji)術，主要包(bao)含HBT，pHEMT，組成(cheng)業(ye)內領先(xian)(xian)，覆蓋(gai)頻(pin)譜全面的(de)微波射(she)頻(pin)制(zhi)程技(ji)術型譜，提(ti)供先(xian)(xian)進(jin)便利的(de)射(she)頻(pin)技(ji)術平臺與服(fu)務助力產品開發。
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寬禁帶半導體垂直整合產業鏈打造了從長晶(jing)、襯底、外延、芯片到封裝測試(shi)的碳(tan)化(hua)硅垂(chui)直整合(he)產業(ye)鏈，加(jia)速功(gong)率器件(jian)產業(ye)化(hua)和高能效(xiao)應用的普及。
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全波長全速率收發光芯片型譜提供全波長全速(su)率的VCSEL芯(xin)片及(ji)陣(zhen)列、DFB激(ji)光(guang)器、雪崩光(guang)電(dian)二(er)極(ji)管(guan)(APDs)、光(guang)電(dian)二(er)極(ji)管(guan)、監控光(guang)電(dian)二(er)極(ji)管(guan)(MPDs)等(deng)高速(su)光(guang)學產品的晶圓制造。
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自研襯底的垂直整合濾波器制造平臺濾波器已通過全球(qiu)射頻前端主流(liu)平臺驗證，擁有國(guo)內多家領先的模塊和手機合(he)作伙伴(ban)，具備高(gao)質量4寸鉭酸鋰襯底生(sheng)產能(neng)力(li)，器件級小型(xing)化、CPS、晶圓級WLP封裝能(neng)力(li)。